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Campioni gratuiti marca famosa BJTs transistor bipolari-MOSFET NPN 40V 1.5A 300mW SS8050 SOT-23
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
SS8050 SOT-23
Tipo
Transistor bipolare
Marca
Original Brand
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio
Altri attributi
Tipo di montaggio
SMD/SMT
Descrizione
TRANSISTOR bipolari-TRANSISTOR BJT NPN 1.5A 40V
Punto d'origine
China
Contenitore/Involucro
SOT-23
Tipo
BJTs-transistor bipolari
Temperatura di funzionamento
-55 ℃-150 ℃
Applicazione
Amplificatore di potenza
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore, Altro
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
MOSFET
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
1.5A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
40 V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
Descrizione di riferimento
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Descrizione di riferimento
Potenza-Max
300mW
Temperatura di funzionamento
-55℃-150℃
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Resistenza-Base (R1)
Descrizione di riferimento
Resistenza-Emettitore Base (R2)
Descrizione di riferimento
Tipo FET
NPN
FET Caratteristica
Carburo di silicio (SiC)
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
Descrizione di riferimento
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
Descrizione di riferimento
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Descrizione di riferimento
Vgs (th) (Max) @ Id
Descrizione di riferimento
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
Descrizione di riferimento
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Descrizione di riferimento
Frequenza
Descrizione di riferimento
Corrente Nominale (Ampere)
200mA
Figura di rumore
Descrizione di riferimento
Potenza di Uscita
Descrizione di riferimento
-Tensione Nominale
Descrizione di riferimento
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
Descrizione di riferimento
Vgs (Max)
Descrizione di riferimento
Tipo IGBT
Descrizione di riferimento
Configurazione
Descrizione di riferimento
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
Descrizione di riferimento
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
Descrizione di riferimento
Ingresso
Descrizione di riferimento
NTC Termistore
Descrizione di riferimento
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
Descrizione di riferimento
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Descrizione di riferimento
Consumo di corrente (Id)-Max
Descrizione di riferimento
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
Descrizione di riferimento
Resistenza-RDS (On)
Descrizione di riferimento
Tensione
Descrizione di riferimento
Tensione-Uscita
Descrizione di riferimento
-Tensione di Offset (Vt)
Descrizione di riferimento
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
Descrizione di riferimento
Corrente-Valle (Iv)
Descrizione di riferimento
Corrente di Picco-Picco
Descrizione di riferimento
Applicazioni
Descrizione di riferimento
Tipo di transistore
Descrizione di riferimento
Polarità del Transistor
NPN
Configurazione
Singolo
Tensione di Base del collettore
40V
Tensione dell'emettitore del collettore
25V
Tensione Base emettitore
5V
Collettore corrente continua
1.5A
Dissipazione di potenza del collettore
300mW
Temperatura di funzionamento
-55 C ~ + 150 C
MPQ
3000
Imballaggio e consegna
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
18X18X1.2 cm
Peso loro per unità:
0.001 kg
Tempi di consegna
| Quantità (parti) | 1 - 30000 | > 30000 |
| Tempo previsto (giorni) | 3 | Da negoziare |
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0,01 USDVarianti
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