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免费样品著名品牌BJTs双极晶体管-MOSFET PNP 40V 200mA 200mW MMBT3906 SOT-23
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
MMBT3906 SOT-23
种类
双极晶体管
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
BJT PNP晶体管200mA 40v
原产地
China
封装/外壳
SOT-23
类型
BJTs-双极晶体管
工作环境温度
-55 ℃-150 ℃
应用
功率放大器
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
参考说明
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
参考说明
功率 - 最大值
200mW
操作温度
-55℃-150℃
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
参考说明
电阻器 - 发射极基底（R2）
参考说明
FET 类型
PNP
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
参考说明
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
参考说明
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
参考说明
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
参考说明
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
参考说明
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
参考说明
响应频率(Hz)
参考说明
额定电流
200mA
噪声系数
参考说明
功率-输出
参考说明
电压-额定
参考说明
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
参考说明
Vgs（最大值）
参考说明
IGBT 类型
参考说明
配置
参考说明
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
参考说明
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
参考说明
输入
参考说明
NTC 热敏电阻
参考说明
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
参考说明
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
参考说明
漏极电流（Id） - 最大值
参考说明
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
参考说明
电阻 - RDS（开）
参考说明
电压
参考说明
电压-输出
参考说明
电压 - 偏移（Vt）
参考说明
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
参考说明
电流 - 谷值（Iv）
参考说明
电流 - 峰值
参考说明
应用
参考说明
晶体管类型
参考说明
晶体管极性
PNP
配置
单人
集电极基极电压
40V
集电极发射极电压
40V
发射极基极电压
5V
集电极电流连续
200mA
集电极功耗
200mW
工作温度
-55 C ~ + 150 C
MPQ
3000
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
18X18X1.2 厘米
单品毛重：
0.001 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 30000 | > 30000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
